Τρανζίστορ από γραφίνη αγγίζει τα 300GHz

05 Σεπτεμβριου 2010
Posted in Επικαιρότητα

Ο όρος "γραφίνη" ακούστηκε για πρώτη φορά το 2007, όταν ερευνητές από το Πανεπιστήμιο του Πρίνστον έχρισαν το εν λόγω υλικό ως πιθανό διάδοχο της σιλικόνης στην κατασκευή επεξεργαστών. Με το Νόμο του Μουρ να φτάνει σιγά-σιγά στα όριά του, η αναζήτηση εναλλακτικών λύσεων οδήγησε σε νέα μονοπάτια, με τη γραφίνη να θέτει σοβαρή υποψηφιότητα. Έκτοτε δεν υπήρξαν σημαντικές εξελίξεις, ωστόσο κάτι φαίνεται να αλλάζει.

Μια ομάδα από το Πανεπιστήμιο της Καλιφόρνια στο Λος Άντζελες ανακοίνωσε ότι κατάφερε να κατασκευάσει ένα τρανζίστορ από γραφίνη, το οποίο λειτουργεί σε ταχύτητες που δεν μπορεί να φτάσει η σιλικόνη. Το κοντέρ σταμάτησε στα 300GHz, ένα νούμερο περίπου διπλάσιο από τις επιδόσεις της σιλικόνης. Θεωρητικά, η ταχύτητα μπορεί να ανέβει σημαντικά και να φτάσει μέχρι και το 1THz. Σύμφωνα με τους ερευνητές, πέρα από την ταχύτητα, η κατασκευή ενός τέτοιου transistor δεν έχει μεγαλύτερο κόστος από την παραγωγή με βάση τα υλικά που ήδη χρησιμοποιούνται.

Βέβαια, η κατασκευή ενός τρανζίστορ υψηλών επιδόσεων απέχει πολύ από έναν επεξεργαστή φτιαγμένο από γραφίνη. Υπάρχει ακόμα πολύς δρόμος για τους ερευνητές και αρκετά εμπόδια που πρέπει να ξεπεραστούν. Για παράδειγμα, ένα από τα μεγάλα στοιχήματα είναι να φτάσει η γραφίνη σε ικανοποιητικά επίπεδα ανθεκτικότητας.

03/09/2010 - e-pcmag.gr