Η Samsung κατασκεύασε την πρώτη μνήμη DDR4 στα 30nm

07 Ιανουαριου 2011
Posted in Επικαιρότητα

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε ότι ολοκλήρωσε την ανάπτυξη της πρώτης μνήμης DDR4 DRAM τον περασμένο μήνα, χρησιμοποιώντας τεχνολογία κατασκευής 30nm. Τα module που κατασκεύασε τροφοδοτούνται με 1,2V, έχουν μέγεθος 2GByte, είναι unbuffered dual in-line (UDIMM), ενώ έχουν ήδη αποσταλεί στους κατασκευαστές ελεγκτών μνήμης, για τη διεξαγωγή των απαραίτητων δοκιμών.

Το νέο DDR4 DRAM module μπορεί να επιτύχει ρυθμό διαμεταγωγής δεδομένων 2,133 Gbps στα 1,2V, τιμές καλύτερες από τα 1,35V και 1,5V που απαιτούν οι DDR3 DRAM μνήμες για ταχύτητες 1,6 Gbps. Σε έναν φορητό υπολογιστή, η μνήμη DDR4 επιτυγχάνει 40% μικρότερη κατανάλωση, σε σχέση με την DDR3.

Στη σχεδίασή της, χρησιμοποιείται η τεχνολογία Pseudo Open Drain (POD), η οποία επιτρέπει στη μνήμη DDR4 να καταναλώνει τη μισή ηλεκτρική ενέργεια κατά την ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων. Μεθοδεύοντας νέα αρχιτεκτονική κυκλωμάτων, η DDR4 της Samsung θα μπορεί να φτάσει στα 3,2Gbps, τη στιγμή που οι σημερινές τυπικές ταχύτητες μνήμης είναι 1,6Gbps για τη DDR3 και 800 Mbps για τη DDR2.

Η Samsung σχεδιάζει να συνεργαστεί στενότερα με κατασκευαστές server, ώστε να εξασφαλίσει τη συμβατότητα με το πρότυπο JEDEC, στο δεύτερο εξάμηνο του έτους. Η Samsung ήταν η εταιρεία που ανέπτυξε την πρώτη μνήμη DDR RAM το 1997, την πρώτη DDR2 το 2001 και την πρώτη DDR3 80nm το 2005. Ο πρόεδρος του τμήματος μνημών της εταιρείας, Dong Soo Jun, δήλωσε: "Η Samsung υποστηρίζει ενεργά τη βιομηχανία πληροφορικής με τη φιλική προς το περιβάλλον πρωτοβουλία, δημιουργώντας οικολογικά, καινοτόμα προϊόντα μνήμης, που παρέχουν καλύτερες επιδόσεις και ενεργειακή απόδοση κάθε χρόνο. Η νέα DDR4 DRAM θα αυξήσει την εμπιστοσύνη στις οικολογικές μας μνήμες που φέρουν τεχνολογία αιχμής, ειδικότερα όταν θα παρουσιάσουμε τα προϊόντα DDR4 4Gbit, χρησιμοποιώντας μεθόδους κατασκευής νέας γενιάς, για καθημερινές εφαρμογές."

05/01/2011 - ipo / adslgr.com με πηγή από techspot.com